Во время саммита Flash Memory основатель американской компании NEO Semiconductor Энди Су рассказал подробности о новой технологии флеш-памяти X-NAND. С ней скорость SSD может вырасти втрое.
Впервые технология была представлена в 2018 году и лишь сейчас обзавелась новыми деталями. Такое увеличение скорости достигается за счет более плотного расположения слоев. Конструкция из 16 слоев по высоте занимает лишь 37% относительно 16 слоев памяти QLC.
Новая X-NAND обеспечит втрое более высокую скорость относительно QLC в операциях случайных записей и чтений, а также в 27 раз большую скорости при последовательном чтении. Технология позволяет работать с разным типом ячеек памяти одновременно.
NEO Semiconductor стремится к тому, чтобы технология была рентабельной, быстрой и простой для внедрения в существующие разработки.
